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本帖最后由 自行車啊對(duì) 于 2018-5-25 10:40 編輯
EMMC內(nèi)存芯片和NAND區(qū)別是什么?我們知道EMMC和NAND是兩種閃存內(nèi)存芯片,在購(gòu)買電子產(chǎn)品的時(shí)候,我們比較的時(shí)候會(huì)發(fā)現(xiàn)這兩者還是有區(qū)別的,那么哪個(gè)更好呢?我們一起來看下吧!
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2018-5-25 10:24 上傳
eMMC全稱為embeded MultiMedia Card。eMMC為MMC協(xié)會(huì)所訂立的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,主要是針對(duì)手機(jī)和移動(dòng)嵌入式產(chǎn)品為主。
而且eMMC目前是最當(dāng)紅的移動(dòng)設(shè)備本地存儲(chǔ)解決方案,目的在于簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)。
使用emmc的好處是,除了得到大容量的空間(這一點(diǎn),只用NAND FLASH多堆疊也可以做到),還有就是emmc可以管理NAND(壞塊處理,ECC)等。
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2018-5-25 10:27 上傳
NAND Flash 是一種存儲(chǔ)介質(zhì),要在上面讀寫數(shù)據(jù),外部要加主控和電路設(shè)計(jì)。
而早期NAND Flash應(yīng)用以SLC(Single-Level Cell)技術(shù)為主,即1bit/cell,讀寫速度快,壽命長(zhǎng),約10萬次讀寫壽命。 SLC芯片雖然質(zhì)量好,但成本價(jià)格都較高,價(jià)格是MLC三倍以上,因此應(yīng)用范圍不廣泛。
NAND Flash的存儲(chǔ)單元從最初的SLC( Single Layer Cell), 到2003年開始興起MLC (Multi-Layer Cell), 發(fā)展至今,SLC已經(jīng)淡出主流市場(chǎng),主流存儲(chǔ)單元正在從MLC向TLC(Triple Layer Cell)邁進(jìn)。納米制程工藝和存儲(chǔ)單元的發(fā)展,使得同樣大小的芯片有更高密度和更多的存儲(chǔ)單元,F(xiàn)lash得以在容量迅速增加的同時(shí),還大幅降低了單位存儲(chǔ)容量的成本。
但其弊端也輕易顯現(xiàn),從原來的1bit/cell發(fā)展到后來3bit/cell, 計(jì)算更為復(fù)雜,出錯(cuò)率不免更高,讀寫次數(shù)和壽命也會(huì)更短。在這種情況下現(xiàn)有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一顆高性能的控制芯片來提供EDC和ECC、平均擦寫等Flash管理。
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2018-5-25 10:34 上傳
所以就目前的技術(shù)來看,EMMC內(nèi)存芯片要好上很多,而且也更方便廠家對(duì)于嵌入式設(shè)備的管理,以上就是EMMC內(nèi)存芯片和NAND區(qū)別,也可以理解為emmc=nand + 讀寫控制ic。更多智能電視精彩應(yīng)用,可下載當(dāng)貝市場(chǎng)(點(diǎn)此下載)進(jìn)行體驗(yàn)。
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2018-5-25 10:34 上傳
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